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IPW60R017C7英飞凌MOS管参数：
型号：IPW60R017C7
连续漏极电流（ID）：109A
功耗（Ptot）：446W
贮存温度和工作结温：-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS：600V
栅极阈值电压V(GS)th：4V
零栅极电压漏极电流（IDSS）：2uA
栅源漏电流（IGSS）：100nA
漏源导通电阻RDS(on)：0.017Ω
输入电容（Ciss）：9890pF
输出电容（Coss）：200pF
二极管正向电压（VSD）：0.9V
反向恢复时间（trr）：630ns
CoolMOS™ C7是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结(SJ)原理设计，由英飞凌科技创造。ASEMI代理IPW60R017C7英飞凌MOS管，详情可咨询强元芯电子。
IPW60R017C7特征：
适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC）
MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns
由于同类最佳FOM RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg提高了效率
符合JEDEC (J-STD20)的工业级应用要求和JESD22)
IPW60R017C7用于高功率/性能的PFC级和PWM级（TTF、LLC）SMPS，例如计算、服务器、电信、UPS 和太阳能。
