STM32CubeMX之内部Flash读写-CFANZ编程社区

STM32CubeMX之内部Flash读写

“ 有时候需要对一些数据进行掉电可存储，一般来说可以把这些数据存储到外部EEPROM或FLASH，如AT24CXX、SPI FLASH等。对于一些不需要经常写入的少量数据，可以直接存储到单片机内部FLASH，可以节省成本。”

前期准备

STM32硬件电路板及仿真器（以STM32F072单片机为例）
Keil v5以上版本（MDK-ARM）

—

FLASH读写流程

FLASH不用于EEPROM等存储器，可以任意字节写入。FLASH存储器写入数据时，每一位只能由“1”变成“0”，不能由“0”变成“1“，因此，当我们有数据要保存到FLASH存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使对应段FLASH存储器变成全“1”，再对需要的位写为“0”，即完成写入操作。

具体到STM32内部FLASH，每次擦除操作最小单位为1个扇区，不同型号的单片机扇区大小也不一样，STM32F072C8T6的扇区大小为2K字节，其起始地址为0x08000000。

STM32CubeMX之内部Flash读写_单片机

具体的读写操作流程如下：

对FLASH写入数据

解锁FLASH
擦除FLASH
写入数据到FLASH
锁住FLASH

FLASH读取数据

直接读取相应的FLASH地址

—

代码编写

FLASH读写不需要对STM32CubeMX进行特殊配置，直接调用HAL相关函数即可，编写读写函数如下：


uint16_t WriteFlash(uint32_t start_Add,uint32_t end_Add,uint32_t *data)
{ 
  uint32_t i;
  uint8_t j=0;
  uint32_t PageError;
  FLASH_EraseInitTypeDef f;
  
  f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
  f.PageAddress = START_ADDRESS;
  f.NbPages = 1;
  PageError = 0;
  
  HAL_FLASH_Unlock();  
  HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError);
  data = (uint32_t*)(&Saved_Param);
  
  for(i = START_ADDRESS; i < END_ADDRESS; i += 4)
  {
      HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, i, data[j++]);
  }
  
  HAL_FLASH_Lock();

}

uint8_t ReadFlash (uint32_t start_Add,uint32_t end_Add,uint32_t *data)
{
    uint32_t i;
    uint8_t j=0;

    for(i = start_Add; i < end_Add; i += 4)
    {
        data[j++]=*(uint32_t *)(i);
    }
    return HAL_OK;
 
}

函数调用方式如下：

0x08080000,0x08080010,dat);
0x08080000,0x08080010,dat);

需要注意的是，FLASH读写地址必须都是4的整数倍。

STM32CubeMX之内部Flash读写_数据_02

0 条评论