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DHE1M-ASEMI高效恢复二极管DHE1M

编辑-Z

DHE1M在SOD-123封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款高效恢复二极管。DHE1M的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DHE1M采用GPP硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。DHE1M的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.7V,反向恢复时间(trr)为100NS,其中有2条引线。


DHE1M参数描述

型号:DHE1M

封装:SOD-123

特性:高效恢复二极管

电性参数:1A 1000V

芯片材质:GPP硅芯片

正向电流(Io):1A

芯片个数:1

正向电压(VF):1.7V

芯片尺寸:50MIL

浪涌电流Ifsm:30A

漏电流(Ir):10uA

反向恢复时间(trr):100NS

工作温度:-55~+150℃

引线数量:2

DHE1M-ASEMI高效恢复二极管DHE1M_封装

DHE1M贴片封装系列。它的本体长度为2.8mm,加引脚长度为3.7mm,宽度为1.8mm,高度为1.1mm,脚宽度为1.0mm。


以上就是关于DHE1M-ASEMI高效恢复二极管DHE1M的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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