FLASH和EEPROM都是非易失性存储器件，但是它们的设计和擦写方式有所不同。
EEPROM，全称电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory），可以通过一个特定的电路进行数据的编程和擦除操作，从而实现数据存储和处理。EEPROM的擦写通常是以字节为单位的。
而FLASH也是一种非易失性存储器件，它被设计为批量擦写，擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位。这种设计简化了电路，提高了数据密度，降低了成本。FLASH分为NOR FLASH和NAND FLASH，大容量的FLASH通常是NAND型的，而小容量的FLASH（2～12M）多是NOR型的。
因此，虽然FLASH和EEPROM在存储性质上都是非易失性的，但在擦写方式、电路设计、数据密度和成本等方面存在差异。
