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晶体管和场效应管

根据对课本《模拟电子技术基础(第5版)》和辅导书上第二章的学习,将里面的电路图、等效模型、公式等总结起来方便到时候查看。

双极型晶体管和单极性晶体管的h等效模型

晶体管和场效应管_场效应管

双极型晶体管基本放大电路(37)

三大基本放大电路

晶体管和场效应管_场效应管_02

晶体管和场效应管_电路图_03

晶体管和场效应管_电路图_04晶体管和场效应管_公式_05

晶体管和场效应管_场效应管_06

基本共射放大电路

晶体管和场效应管_模拟电子技术_07

晶体管和场效应管_模拟电子技术_08

基本共集放大电路(89)

  • 共集放大电路又称射极跟随器,尽管电路无电压放大能力,但是输出电流远大于输入电流,所以电路仍具有功率放大作用.
  • 共集放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻大得多,可达几十千欧到几百千欧。
  • 共集放大电路输入电阻大、输出电阻小,带负载能力强,多用于多级放大电路的输入级和输出级;也可以连接两电路,减少电路间直接相连所带来的影响,起缓冲作用。

晶体管和场效应管_场效应管_09晶体管和场效应管_模拟电子技术_10

基本共基放大电路(92)

  • 共基放大电路无电流放大能力,具有足够的电压放大能力,共基放大电路的输出电压和输入电压同相,输入电阻较共射电路小,输出电阻与共射电路相当,最大优点是频带宽、常用于无线电通信等。

综上所述,晶体管单管放大电路的三种基本接法的特点归纳如下:

  1. 共射电路既能放大电流又能放大电压,输人电阻居三种电路之中,输出电阻较大,频带较窄。常作为低频电压放大电路的单元电路。
  2. 共集电路只能放大电流不能放大电压,是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路,并具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输人级和输出级,在功率放大电路中也常采用射极输出的形式。
  3. 共基电路只能放大电压不能放大电流,具有电流跟随的特点;输人电阻小,电压放大倍数、输出电阻与共射电路相当,是三种接法中高频特性最好的电路。常作为宽频带放大电路。

阻容耦合基本放大电路

晶体管和场效应管_模拟电子技术_11

晶体管和场效应管_电路图_12

由表可知,共集放大电路的输人电阻可达一百千欧以上,输出电阻可至百欧以下;共基放大电路的输人电阻最小,也可至百欧以下。

静态工作点稳定电路

晶体管和场效应管_公式_13

UBQ基本不随温度的变化而变。

晶体管和场效应管_模拟电子技术_14

静态工作点

晶体管和场效应管_模拟电子技术_15

电路通过射极电阻Re引入直流负反馈来稳定工作点。若在图2.1.5(b)所示电路中Rb1用负温度系数的热敏电阻或Rb2用正温度系数的热敏电阻,来实现温度补偿,则Q点更加稳定。

图2.1.5(b)所示电路的电压放大倍数、输人电阻和输出电阻为

晶体管和场效应管_公式_16

静态工作点稳定:83页

单极性晶体管放大电路

自给偏压电路和分压式分压电路


自给偏压电路

分压式偏压电路





电路图

晶体管和场效应管_场效应管_17

晶体管和场效应管_场效应管_18



晶体管中的电压

晶体管和场效应管_晶体管_19

晶体管和场效应管_公式_20

原因

由于在正直流电源供电的情况下,通过源极电阻上的压降使放大管获得负偏压

由于栅极电位是两个电阻对直流电源的分压,从而得到偏置电压

课本95页,辅导书40页。

场效应管基本放大电路

晶体管和场效应管_公式_21

晶体管和场效应管_电路图_22

晶体管和场效应管_模拟电子技术_23

晶体管和场效应管_公式_24

对增强型MOS管的电流方程求导可得出gm的表达式

晶体管和场效应管_公式_25

在小信号作用时,可用IDQ来近似iD,得出

晶体管和场效应管_晶体管_26

晶体管和场效应管_公式_27

基本共源放大电路(94)

晶体管和场效应管_场效应管_28

晶体管和场效应管_模拟电子技术_29

晶体管和场效应管_电路图_30

晶体管和场效应管_场效应管_31

基本共漏放大电路(99)

基本放大电路的派生电路

晶体管与晶体管(100)

两只同类型(NPN或PNP)的晶体管组成的复合管,等效为组成它们的晶体管的同类型的管子;不同类型晶体管组成的复合管,等效为与T1管同类型的管子。

晶体管和场效应管_模拟电子技术_32

晶体管和场效应管_公式_33

两只管子复合后的β大约为β1β2

场效应管与晶体管(101)

晶体管和场效应管_模拟电子技术_34

晶体管和场效应管_晶体管_35

晶体管和场效应管_晶体管_36

复合管共射放大电路(102)

晶体管和场效应管_场效应管_37

晶体管和场效应管_场效应管_38

与基本共射放大电路的Ri相比,Ri明显增大。说明当Ui相同时,从信号源索取的电流将显著减小,降低了对信号源输出电流的要求。

复合管共源放大电路(103)

晶体管和场效应管_模拟电子技术_39

晶体管和场效应管_晶体管_40

与共射输入电阻相比可知,由于Rg3可取几兆欧,电路的输人电阻比复合管共射放大电路的输人电阻大得多,表现出场效应管放大电路的突出优点。

复合管共集放大电路(104)

晶体管和场效应管_晶体管_41

晶体管和场效应管_场效应管_42

晶体管和场效应管_公式_43

晶体管和场效应管_公式_44

以上表明,由于采用复合管,输入电阻Ri中与Rb相并联的部分大大提高,而输出电阻Ro中与Re相并联的部分大大降低,使共集放大电路Ri大、Ro小的特点得到进一步的发挥。

共集放大电路的输人电阻与负载电阻有关;共集放大电路的输出电阻与信号源内阻有关。但是必须特别指出,根据输人、输出电阻的定义,无论什么样的放大电路,Ri均与Rs无关,而Ro均与RL无关

共射-共基放大电路(105)

晶体管和场效应管_场效应管_45

晶体管和场效应管_晶体管_46

共集-共基放大电路(105)

晶体管和场效应管_晶体管_47

利用两种基本接法组合,可以同时获得两种接法的优点。

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