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ON/安森美FGH40N60SMD车规级IGBT参数：
型号：FGH40N60SMD
二极管正向电流（IF）：40A
功耗（Ptot）：349W
贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 175℃
集电极到发射极电压（VCES）：600V
G−E阈值电压VGE(th)：4.5V
集电极截止电流（ICES）：250uA
G−E漏电流（IGES）：±400nA
输入电容（Cies）：1880pF
输出电容（Coes）：180pF
二极管正向电压（VFM）：2.3V
反向恢复时间（trr）：36ns
FGH40N60SMD使用新型场阻IGBT技术，安森美的新系列场停第二代IGBT为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和pf应用提供了最佳性能，在这些领域中，低传导和开关损耗是必不可少的。
FGH40N60SMD特征：
最高结温：TJ=175°C
正温度Co−高效，易于并行操作
高电流能力
低饱和电压：VCE（sat）=1.9 V（Typ）@IC=40 A
高输入阻抗
快速切换：EOFF=6.5μJ/A
加强参数分配
该设备为Pb−不含卤素/BFR，符合RoHS标准
FGH40N60SMD应用：
太阳能逆变器、焊机、UPS、PFC、电信、ESS
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
