电源防反接电路
一、二极管防反接电路
（一）、案例一
-
原理图
-
器件分析
（二）、案例二
- 原理图
2. 器件分析
(三)、防反接二极管三个重要选型参数
注：
- 使用二极管防反接后，VCC = Vin - Vf，输出电压小于Vin；
- 对于有功耗要求的电路不可使用；
- 防反接二极管一般选用肖特基二极管，因为其正向导通压降Vf比普通二极管小，降低了二极管的功耗。
二、PMOS防反接电路
（一）、案例一
-
原理图
-
器件分析
（二）、案例二
- 原理图
- 原理分析
已知电源VIN_24V输入范围在24±5%（22.8~25.2）之间工作电流2A，Vgs(th) = -2V，D2(Vz=27V)，D1(Vz=12V)，D3(Vz=24V)分析如下：
-
正常供电情况
稳压管D2截止，VB = VA = 24V；
三极管Q2截止，因为Vb=Ve，所以三极管处于截止区；
VC= 24 /（10k+30k）x 30k = 18 V；
PMOS管Q1导通，Vgs = VC-VA = 18-24 = -6V<-2V；
VCC_24V输出24V -
过电压情况
稳压管D2击穿，VB = 27V；
三极管Q2导通，因为Vb + 0.7V ≤ Ve，所以三极管工作在饱和区；
VC= VA-0.3V；
PMOS管Q1截止，因为Vgs = VC-VA = VA - 0.3V - VA = -0.3V > -2V；
VCC_24V无输出 -
电源反接情况
VA = 0V;
VC = 0.7V
PMOS管Q1截止，因为Vgs = VC-VA = 0.7V - 0V = 0.7V > -2V;
VCC_24V无输出
- 器件选型及参数分析
D2：小于后级电路最大输入电压；
D1：Vz < Vgs最大耐压，如果Vgs max > Vin 则可以省略；
D3：等于系统工作电压；
因为当Ve - Vb ≥ 0.7V，时三极管Q1饱和，所以VA-VB = VR3；
R3 = VR3 / (IZT + IB) = 0.7 / (0.0046 + 0.00002) ≈152Ω，根据实际阻值表选取154Ω的电阻；
R1、R2取值原则：Vgs(on) max < Vin / (R1+R2) * R1 < Vgs max
P(Q1) = I x I x R = 2 x 2 x 0.065 = 0.26 W
（三）、防反接PMOS管四个重要选型参数
