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(600V)IGBT 晶体管IKD15N60R具有出色的温度稳定性,而IKW50N60H3降低开关损耗。

1、IKD15N60R 600V IGBT晶体管是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性,可节省高达60%的PCB空间。

(600V)IGBT 晶体管IKD15N60R具有出色的温度稳定性,而IKW50N60H3降低开关损耗。_工作温度

IGBT 类型:沟道

电压 - 集射极击穿(最大值):600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A

功率 - 最大值:250 W

开关能量:900µJ

输入类型:标准

栅极电荷:90 nC

25°C 时 Td(开/关)值:16ns/183ns

测试条件:400V,15A,15 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):110 ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

明佳达电子/星际金华(回收、供应)IGBT 晶体管(600V)IKD15N60R具有出色的温度稳定性,而IKW50N60H3降低开关损耗。

2、IKW50N60H3 器件是下一代薄晶圆IGBT(绝缘栅双极型晶体管),与目前其他领先的IGBT相比,传导和开关损耗大幅降低。TRENCHSTOP 5是针对开关频率高于10kHz的应用而设计。晶圆厚度减少25%以上,大幅改善了开关及传导耗损,更将击穿电压提高到了650V。性能提升幅度惊人,为设计人员开启了新的探索机会。

(600V)IGBT 晶体管IKD15N60R具有出色的温度稳定性,而IKW50N60H3降低开关损耗。_工作温度_02

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A

功率 - 最大值:333 W

开关能量:2.36mJ

输入类型:标准

栅极电荷:315 nC

25°C 时 Td(开/关)值:23ns/235ns

测试条件:400V,50A,7 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):130 ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:PG-TO247-3-1

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