1、读图促正确应用
在数据文件会出现一些曲线图，给出一些MOSFET资料图 表，通常会在选型设计中用到。
（1）正向输出特性ID=f(VDS)
Vgs较低（例如7V以下）时ID电流达不到最大值63A，一般 推荐Vgs在10V-15V之间。结温升高对ID有影响。 当发生短路故障时，可设计驱动电路降低Vgs实现限流保护！
（2）、转移特性ID=f(VGS)
（3）、通态电阻与芯片温度关系RDS(on)=f(Tj)
（4）、通态电阻与漏极电流、Vgs间关系RDS(on)=f(ID)
（5）、漏源击穿电压与结温的关系V(BR)DSS=f(Tj)
（6）、 直流漏极电流与结温的关系ID=f(Tj)
（7）、最大总功耗PDM与壳温TC的关系
建议芯片最高工作结温低于最大工作允许结温25K以下。
（8）、安全工作区（SOA）
（9）、 栅源阈值电压与结温的关系VGS(th)=f(Tj)
（10）、栅极电荷曲线VGS=f(Qgate)
2、 IGBT驱动设计
门极电阻
门极电阻影响IGBT在开通和关断的特性。交换特性在 开通和关断时均依存于RG，RG 越大，交换时间和交 换损耗就越大，但交换时的浪涌电压变小。
dv/dt 误触发在RG 较大时变得不太容易发生。
IGBT 的RG 越大，短路最大耐受量会增加，但由于电 流限制值减少，因此，必须注意将装置的过电流跳闸 水平设定在该限制值以下。当RG 为标准门极电阻值 （Tj=25℃）时，电流限制最小值为额定电流值的2 倍 左右。
设置独立的开启时间和关断时间，使用独立的开启电 阻和关断电阻。
开通需要一个较小的门极电阻 RGon
更快的开通速度
降低IGBT开关损耗
关断需要一个较大的门极电阻 RGoff
降低IGBT关断速度
减少过电压尖峰
3、驱动电阻电路形式
4、驱动输出
