1、2ED21094S06J 和2ED21084S06J 是采用DSO-14封装、集成自举二极管的650V、0.7A半桥栅极驱动器，可驱动各种电力电子应用中的IGBT、增强型N沟道MOSFET。
优势
集成自举二极管（BSD）- 通过更简单的设计、更低的成本来节省空间、降低物料清单成本和缩小PCB尺寸
电平转换损失减少50%
对VS引脚的负瞬态电压（-100 V）有着出色的耐用性和抗干扰性
特征描述
工作电压（VS节点）高达 + 650 V
VS负瞬态抗扰 100 V
集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本
浮动通道，用于自举操作
高压和低压引脚分开，以实现最大的爬电距离和电气间隙
逻辑接地和电源接地分开，缩短栅极回路
两个通道均具有独立的欠压锁定（UVLO）
传播延时：200 ns
540 ns 内部死区时间
HIN, /LIN 逻辑输入
最大电源电压：25 V
VS引脚的逻辑操作高达–11 V
输入负电压容差：–5 V
浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT
规格
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：650 V
上升/下降时间（典型值）：100ns，35ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
明佳达电子（供求）采用8或14 引脚DSO封装，2ED21094S06J、2ED21084S06J、2ED2104S06F、2ED2101S06F（650V）栅极驱动器IC
2、2ED2101S06F 和 2ED2104S06F是采用DSO-8封装的650 V高速、高端和低端栅极驱动器，具有典型的0.29 A源电流和0.7 A灌电流，用于驱动功率MOSFET和IGBT。
2ED2104S06F 半桥栅极驱动器IC
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：650 V
上升/下降时间（典型值）：70ns，35ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8-69
2ED2101S06F 高低边栅极驱动器IC
驱动配置：高压侧和低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：CB，cCSAus，CE，CQC，TUV
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：650 V
上升/下降时间（典型值）：70ns，35ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8-69
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