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具有低RDS(on) 值和低电容的NTMFSC006N12MC、NTMFS5C430NT1G功率MOSFET

1、NTMFSC006N12MC N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET 120 V, 92 A, 6.0mΩ

NTMFSC006N12MC 双路Cool™ N通道功率MOSFET采用Power Trench® 工艺和双面冷却封装。该功率MOSFET具有超低RDS (ON) 、120V漏极-源极电压、±20V栅极-源极电压以及150°C最高工作结温/存放温度。典型应用包括交流-直流商用电源、一次侧直流-直流FET、同步整流器和直流-直流转换。

具有低RDS(on) 值和低电容的NTMFSC006N12MC、NTMFS5C430NT1G功率MOSFET_MOSFET

技术:MOSFET(金属氧化物)

配置:2 个 N 沟道

FET 功能:-

漏源电压(Vdss):120V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A (Ta), 92A (Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3040pF @ 60V

功率 - 最大值:2.7W(Ta),104W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

等级:-

资质:-

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:8-DFN(5x6.15)


2、NTMFS5C430NT1G 单 N 通道 功率 MOSFET 40V, 185A, 1.7mΩ

NTMFS5C430NT1G N沟道MOSFET是40V、185A 功率MOSFET,具有低RDS(on) 值和低电容,可最大限度地降低导通和驱动器损耗。该MOSFET具有5mmx6mm 5-DFN的小尺寸,设计紧凑。典型应用范围包括负载点模块、高性能DC-DC转换器、辅助同步。整改和直流电机驱动。

具有低RDS(on) 值和低电容的NTMFSC006N12MC、NTMFS5C430NT1G功率MOSFET_MOSFET_02

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Ta),185A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.7 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):47 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3300 pF @ 25 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),106W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线

基本产品编号:NTMFS5

明佳达电子(供应、回收)具有低RDS(on) 值和低电容的NTMFSC006N12MC、NTMFS5C430NT1G功率MOSFET。

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