特性：
1) 低导通电阻
2) 小型表面贴装封装（TSMT8）
3) 无铅电镀；符合RoHS标准
4) 无卤素
ROHM半导体硅功率MOSFET提供一系列驱动类型(0.9V至20V)，使其非常适合各种应用。
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：N 和 P 沟道
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A，8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：640pF @ 15V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：TSMT8
基本产品编号：QH8MA4
明佳达（星际金华）大量供应（晶体管）QH8MA4TCR MOSFET - 阵列 30V 9A，8A 1.5W 表面贴装型 TSMT8
