上节，我们说到HDPCVD用在90nm线宽，6：1的深宽比的结构中，见文章:
HDPCVD的原理
但是，在亚65nm及以下的技术节点，特别是高深宽比结构（>10：1）的填充中，SACVD逐渐取代HDPCVD。
什么是SACVD？
SACVD，全名Sub-Atmospheric Chemical Vapor Deposition，即亚大气压化学气相沉积。SACVD是一种热CVD，与APCVD,LPCVD相比，区别在于SACVD是在亚大气压的环境（几百托）下进行。
SACVD与HARP的关系
SACVD作为一种热CVD，传统的SACVD反应速率很慢。但是，AMAT公司改进了SACVD，推出了HARP技术（High Aspect Ratio Process）,HARP采用了O3/TEOS的方法，获得比较高的沉积速率。
HARP应用在哪些产品？
一般应用于逻辑 FinFET和存储器技术节点的 STI（浅沟槽隔离层）和 PMD（金属前电介质层）等高深宽比结构中。
HARP工艺步骤
HARP一般分为三步，主要的动作是调节O3与HARP的比值。
如上图所示，黑实线为TEOS的比例，灰实线为间距。
在初始阶段（I），低流量低速沉积用于均匀打底；在中期阶段（II），高流量沉积用于快速填充；最后在第三阶段（III），通过提高TEOS的比例，获得更高的沉积速率。
