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ASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03

编辑:ll

ASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03

型号:ASE100N03

品牌:ASEMI

封装:TO-252

最大漏源电流:100A

漏源击穿电压:30V

批号:最新

RDS(ON)Max:5.0mΩ

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:中低压MOS管、N沟道MOS管

工作结温:-55℃~175℃

ASE100N03场效应管

ASE100N03的电性参数:最大漏源电流100A;漏源击穿电压30V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=-30V,Id=100A

RDS(开):5.0mΩ (最大值)@VG=10V

ASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03_MOS管

ASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03_MOS管_02

ASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03_ASEMI_03

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