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ASEMI中低压MOS管ASE60N10参数：
型号：ASE60N10
漏极-源极电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：60A
功耗（PD）：160W
储存温度（Tstg）：-55 to 175℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ
二极管正向电压（VSD）：0.85V
输入电容（Ciss）：3969pF
二极管反向恢复时间（trr）：35ns
ASE60N10封装规格：
封装：TO-263
总长度：16mm
本体长度：10.8mm
宽度：10.2mm
高度：4.7mm
脚间距：5.28mm
ASE60N10特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷：Qg=146.1nC（典型值）。
BVDSS=100V，ID=60A
RDS（开启）：17mΩ （最大值）@VG=10V
100%雪崩测试
