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ASEMI高压MOS管10N60参数：
型号：10N60
漏极-源极电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：30V
漏极电流（ID）：10A
功耗（PD）：125W
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.85Ω
二极管正向电压（VSD）：1.5V
输入电容（Ciss）：1500pF
二极管反向恢复时间（trr）：600nS
10N60封装大小：
封装：TO-220
总长度：28.57mm
本体长度：15.87mm
宽度：10.66mm
高度：5.0mm
脚间距：2.54mm
10N60特征：
10A，600V，RDS（ON）=0.85Ω@VGS=10V/5A
低栅极电荷
低Ciss
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
