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ASEMI高压MOS管ASE20N65SE体积,ASE20N65SE大小

编辑-Z

ASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数:

型号:ASE20N65SE

漏极-源极电压(VDS):650V

栅源电压(VGS):30V

漏极电流(ID):20A

功耗(PD):239W

储存温度(Tstg):-55 to 150℃

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.42Ω

二极管正向电压(VSD):1.4V

输入电容(Ciss):3520pF

二极管反向恢复时间(trr):530nS

ASEMI高压MOS管ASE20N65SE体积,ASE20N65SE大小_反向恢复

ASE20N65SE封装体积:

封装:TO-247

总长度:40.4mm

本体长度:20.1mm

宽度:15.8mm

高度:5.0mm

脚间距:5.45mm

ASEMI高压MOS管ASE20N65SE体积,ASE20N65SE大小_封装_02

ASE20N65SE特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=650V,ID=20A

RDS(开):0.42Ω (最大值)@VG=10V

100%雪崩测试

ASEMI高压MOS管ASE20N65SE体积,ASE20N65SE大小_安全操作_03

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