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ASEMI高压MOS管20N65参数：
型号：20N65
漏极-源极电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：30V
漏极电流（ID）：20A
功耗（PD）：239W
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω
二极管正向电压（VSD）：1.4V
输入电容（Ciss）：3520pF
二极管反向恢复时间（trr）：530nS
20N65封装规格：
封装：TO-220
总长度：28.57mm
本体长度：15.87mm
宽度：10.66mm
高度：5.0mm
脚间距：2.54mm
20N65特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=650V，ID=20A
RDS（ON）：0.42Ω （最大值）@VG=10V
100%雪崩测试
