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ASEMI高压MOS管ASE65R330参数,ASE65R330图片

编辑-Z

ASEMI高压MOS管ASE65R330参数:

型号:ASE65R330

漏极-源极电压(VDS):650V

栅源电压(VGS):20V

漏极电流(ID):12.5A

功耗(PD):30.9W

储存温度(Tstg):-55 to 150℃

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):330mΩ

二极管正向电压(VSD):1.1V

输入电容(Ciss):470pF

二极管反向恢复时间(trr):214nS

ASEMI高压MOS管ASE65R330参数,ASE65R330图片_封装

ASE65R330封装图片:

封装:TO-220F

总长度:28.8mm

本体长度:15.87mm

宽度:10.16mm

高度:4.7mm

脚间距:2.54mm

ASEMI高压MOS管ASE65R330参数,ASE65R330图片_封装_02

ASE65R330特征:

超低RDS(ON)=330mΩ@VGS=10V。

超低栅极电荷,Qg=27.2nC典型值。

快速切换能力

具有更好EAS性能的稳健设计

EMI改进设计

ASEMI高压MOS管ASE65R330参数,ASE65R330图片_封装_03

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