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STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220封装

STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220封装_IGBT



STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V


特点:低电压降(VcE(sat))低Cres/Cies比(无交叉传导磁化率),短路耐受时间为10 us,IGBT与超快自由旋转二极管合封。

应用:高频逆变器,电机驱动器。

说明:该IGBT利用了先进的PowerMESHTM工艺,在切换性能和低状态行为之间实现了良好的权衡。


STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220封装_封装_02

STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220封装

STGF19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220FP封装

STGB19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,D2PAK封装

STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220封装_IGBT_03

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