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​​STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH(二) - 简书 (jianshu.com)​​

目录

​​基础信号线​​

​​配置4字节地址模式​​

​​  1.  使能 4字节模式​​

​​2. 更改 读、写(program)、擦除的命令字​​

​​3. 修改查询状态​​

基础信号线

写状态寄存器、对FLASH编程(写)、擦除时,需要使能写。发出使能写指令后,需要查询该指令是否顺利完成了。

前者是非易失的,后者是易失的,这里派上了用场,我们的方式是修改易失的 Volatile Configuration Register(代码中,MCU每次上电都要做这个操作):先读出  Volatile Configuration Register 的值,设置 Dummy cycles,之后再写回 Volatile Configuration Register。

     目前的单板读写flash都不行了,初步判断通过 修改 Nonvolatile Configuration Register,将命令工作模式修改为 4字节地址生效了,导致原先的命令都不能使用了。或者说将命令改为4字节的后,flash还没有配置成4字节模式,导致所有的读写接口都不能正确响应。

  

flash_单片机

flash_信号线_02

 以上是flash侧的信号线。

对于片选S# ,控制器侧的控制描述:

flash_信号线_03

也就是每次操作前,设置控制器的从选寄存器就可以使得 S#为低。

配置4字节地址模式

  以 MT25QU01GBBB  为例,说明配置 4字节地址模式时主要修改的几个接口。

  1.  使能 4字节模式

  有两个命令使能4字节的模式,一个是非易失的,一个为配置后重启丢失的。

flash_重启_04

  在实战过程中,由于boot中的相关驱动代码还是采用3字节地址的形式,因而如果仅仅在版本中通过nonvolatile 配置成4字节的,则会导致重启后boot不能正常访问。

2. 更改 读、写(program)、擦除的命令字

更改封装这些命令的函数,将其命令字修改为4字节模式的。同时,在发送命令时,携带的地址也由3字节修改为4字节。

3. 修改查询状态

flash_信号线_05

      在写(program)后,通常需要查询flag status 寄存器的bit 7位,当位1即ready时,则开始进行下一组数据的写入。而这种检查,如果比较整个寄存器,由于此时已经位4 字节地址模式,因而最低一位bit 0位1,就导致校验不过。故而需要进行修改。 

 

​​VBS基础篇 vbscript Sendkeys模拟键盘操作_vbs_脚本之家 (jb51.net)​​

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