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ASEMI代理艾赛斯IXFK32N100P,车规级MOS管IXFK32N100P

编辑-Z

艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数:

型号:IXFK32N100P

漏极-源极电压(VDS):1000V

连续漏电流(ID):32A

功耗(PD):960W

工作结温度(TJ):-55 to +150℃

零栅极电压漏极电流(IDSS):50uA

漏极源导通电阻RDS(ON):320mΩ

输入电容(CISS):14.2pF

二极管正向电压(VSD):1.5V

反向恢复时间(trr):300ns

ASEMI代理艾赛斯IXFK32N100P,车规级MOS管IXFK32N100P_反向恢复

IXFK32N100P封装尺寸:

封装:TO-264

总长度:46.99mm

本体长度:26.16mm

引脚长度:20.83mm

宽度:19.96mm

高度:5.13mm

脚间距:5.46mm

ASEMI代理艾赛斯IXFK32N100P,车规级MOS管IXFK32N100P_反向恢复_02

IXFK32N100P特征:

快速本征二极管

国际标准包装

额定无阻尼感应开关(UIS)

低封装电感-易于驱动和保护

ASEMI代理艾赛斯IXFK32N100P,车规级MOS管IXFK32N100P_封装_03

IXFK32N100P应用:

开关模式和谐振模式电源

DC-DC转换器

激光驱动器

交流和直流电机控制

机器人和伺服控制

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