TGA2227是一款宽带、低噪声放大器,采用QGaN15生产GaN-on-SiC工艺制造。TGA2227的工作频率为2–22 GHz,小信号增益大于15 dB,中频噪声系数为2 dB。
应用:
商业和军事通信
商用和军用雷达
电子战
仪器仪表
LNA、驱动器、增益模块、通用放大器
TGA2704-SM是一款高功率放大器,采用0.25um pHEMT GaAs生产工艺制造。TGA2704-SM的工作频率为9–11 GHz,提供7 W饱和输出功率,小信号增益为21 dB,功率效率提高40%。
TGA2704-SM与50欧姆电阻完全匹配,两个I/O端口都集成了DC隔直电容,非常适合支持商业和国防相关应用。
规格:
工作频率:9 GHz to 11 GHz
工作电源电压:9 V
工作电源电流:1.05 A
增益:21 dB
类型:Power Amplifiers
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:QFN-22
技术:GaAs
P1dB - 压缩点:37.5 dBm
工作温度:- 40°C 至 + 85°C
系列:TGA2704
封装:Tray
开发套件:TGA2704-SMEVB
输入返回损失:10 dB
湿度敏感性:Yes
通道数量:1 Channel
产品类型:RF Amplifier
工厂包装数量:10
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大:10 V
TGA4549-SM是一款高频、高功率MMIC放大器,采用0.15um GaN on SiC工艺(QGaN15)制造。TGA4549-SM的工作频率为21.2–23.6 GHz,通常提供10 W饱和输出功率,功率附加效率为20%,大信号增益为17 dB。这种高频性能的组合提供了设计人员所寻求的灵活性,可以在降低尺寸和成本的同时提高系统性能。
TGA4549-SM还集成了功率检测器,以支持系统诊断和其他需求。
基本参数:
工作频率:21.2 GHz to 23.6 GHz
工作电源电压:28 V
工作电源电流:300 mA
增益:22 dB
类型:Power Amplifiers
安装风格:SMD/SMT
技术:GaN SiC
P1dB - 压缩点:40 dBm
工作温度:- 40°C 至 + 85°C
系列:TGA4549
封装:Waffle
开发套件:TGA4549-SM EVB
输入返回损失:9 dB
湿度敏感性:Yes
通道数量:1 Channel
Pd-功率耗散:45 W
产品类型:RF Amplifier
TGA4548是一款高频、高功率MMIC放大器,采用0.15um GaN on SiC工艺(QGaN15)制造。TGA4548的工作频率为17–20 GHz,通常提供10 W饱和输出功率,功率附加效率为25%,大信号增益为18 dB。这种高频性能的组合提供了设计人员所寻求的灵活性,可以在降低尺寸和成本的同时提高系统性能。
TGA4548还集成了功率检测器,以支持系统诊断和其他需求。
规格:
工作频率:17 GHz to 20 GHz
工作电源电压:28 V
工作电源电流:300 mA
增益:27 dB
类型:Power Amplifiers
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:Die
技术:GaN SiC
工作温度:- 40°C 至 + 85°C
系列:TGA4548
封装:Gel Pack
开发套件:TGA4548EVB
输入返回损失:15 dB
通道数量:1 Channel
Pd-功率耗散:43 W
产品类型:RF Amplifier
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