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1200V CoolSiC模块IMBG120R140M1H SICFET N-CH 18A

IMBG120R140M1H 模块 SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263(IMBG120R140M1HXTMA1)

说明:1200V CoolSiC 模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块,具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。

1200V CoolSiC模块IMBG120R140M1H SICFET N-CH 18A_汽车

(明佳达电子、星际金华供应且回收)IMBG120R140M1H 1200V CoolSiC模块。

技术参数

FET 类型:N 通道

技术:SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss):1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):189 毫欧 @ 6A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 2.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):13.4 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+18V,-15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):491 pF @ 800 V

FET 功能:标准

功率耗散(最大值):107W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PG-TO263-7-12

封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

基本产品编号:IMBG120

特性

大电流密度

出色的开关和导通损耗

低电感设计

低电容

具有反向恢复电荷的本征二极管

集成NTC温度传感器

PressFIT触点技术

效率高,可降低冷却要求

无阈值导通状态特性

与温度无关的开关损耗

高频工作

较高的功率密度

优化的开发周期时间和成本

符合RoHS指令

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

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