产品概述
IMW65R107M1H 650V CoolSiCTM MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。
特征
低电容
更高电流下经过优化的开关行为
具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的整流稳健快速体二极管
卓越的门极氧化可靠性
出色的热性能
更高的雪崩耐量
可使用标准驱动程序
应用领域
服务器
电信系统
SMPS
太阳能系统
储能和电池信息
UPS
电动汽车充电
电机驱动器
明佳达电子（供求）IMW65R107M1H （IMW65R107M1HXKSA1）20A 650V MOSFET。
FET 类型：N沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：107 mΩ
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：75 W
工作温度：-55 °C ~ 150 °C
封装：TO247-3
基本产品编号：IMW65R107
注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！
