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AO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A

编辑:ll

AO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A

型号:AO3401A

品牌:ASEMI

封装:SOT-23

最大漏源电流:-4.2A

漏源击穿电压:-30V

批号:最新

RDS(ON)Max:0.06Ω

引脚数量:3

沟道类型:P沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:中低压MOS管、P沟道MOS管

工作结温:-55℃~150℃

AO3401A场效应管

AO3401A的电性参数:最大漏源电流-4.2A;漏源击穿电压-30V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=-30V,Id=-4.2A

RDS(开):0.06Ω (最大值)@VG=-4.5V

AO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A_ASEMI

AO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A_MOS管_02

AO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A_ASEMI_03

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