从技术到市场，从市场到资本，全新芯一代们全线布局，在不断突围中打造中国芯的影响力。他们不断创新，将技术融入市场；他们不断进取，将梦想植于全球。但就在中国芯在全球市场上的耀眼表现备受瞩目时，危机却在蛰伏。先是2003年汉芯造假事件，后是已经在国际市场崭露头角，已建立了国内第一家12寸晶圆厂，占据国内30%DRAM份额的上市公司中芯国际，因跟台积电打公司，最终导致前者被迫放弃DRAM业务。至此，国内所有企业在DRAM领域的尝试，最终都以失败而告终。
离子注入、扩散、外延、光刻等工艺技术，加上真空镀膜技术、氧化技术和测试封装技术，构成了硅平面加工技术的主体。通俗地说是构成了芯片制造的主体，而光刻技术是其中的重中之重和灵魂技术。目前ASML EUV光刻机的售价已达到1.2亿美元，光刻机设备成本占到所有制造设备成本的35%，光刻工序占到所有制造工时的40%左右，光刻机成为了国内芯片技术被卡脖子的关键装备。
与此同时，时隔22年后的2002年，上海微电子成立后，我国才重新拾取了光刻机领域，而曾经晚于我国诞生的光刻机巨头ASML，通过多次技术升级迭代和资本化运作而建立的全球领先优势和霸占地位，我们一路追赶到今天也难以企及。数据显示，如今ASML占据全球约75%的光刻机市场，更是垄断了全球7nm及以下工艺的EUV光刻机技术。2021财年出货309台，主营业务收入186亿美元，同比增长33%；研发投入25亿美元，占营收的14%。自90年代以来，三项革命性技术突破和全产业链建设帮助ASML成为全球龙头。1991年，推出突破性平台PAS5500，于上下游厂商、研究机构、同业合作伙伴搭建了开放式创新平台PAS5500，相互推动创新，并提供对各种技术的前沿知识库访问。该平台凭借其领先的生产力和分辨率，奠定了客户基础。2001年，推出 TWINSCAN系统及其双平台技术，最大限度地提高了系统地生产率和准确率。ASML最大的弯道超车，发生在193nm制程到157nm制程的升级过程中，开发了浸没式光刻技术，并推出全球首台浸润式光刻机。这一技术成为此后65、45和32nm 制程的主流，推动摩尔定律往前跃进了三代。当时业内大部分企业选择在原有技术路径上改进，比如尼康、佳能都选择研发157nm波长的光源。彼时台积电科学家林本坚提出，利用水的折射，使进入光阻的波长缩小到134nm。由于浸没式光刻技术研发难度大，且需要推翻原有设计重新开始研发，全球只有ASML愿意选择浸没式光刻技术，并于2003年和台积电合作研发成功，2004年尼康才终于宣布157nm的干式光刻机产品样机出炉。此后，ASML快速占领光刻机市场份额。2010 年，推出了第一台EUV光刻原型机，成为全球唯一使用极紫外光的光刻机制造商，开启了光刻机的新时代。1997年，英特尔和美国能源部牵头组建EUV LLC前沿技术组织，论证EUV技术的可行性，成员主要包括Intel、摩托罗拉、AMD以及美国能源部 (DOE) 、伯克利国家实验室等行业巨头。ASML以出资在美国建工厂和研发中心，并保证55%的原材料都从美国采购的条件，挤进EUV LLC，而尼康、佳能却被排除在外。EUV LLC的研究成果大大加快了ASML的EUV研发速度，成为目前唯一掌握EUV光刻机技术的厂商。战略并购和开放式创新平台助力ASML技术持续创新，先后收购 MicroUnity的Mask Tool 部门（光学临近矫正技术）、Brion Technologies（计算光刻技术）、HMI（电子束检测）、Mapper（电子束光刻）和SVG（微激光系统），建立起了完善的上下游产业链和护城河。
世界名校光环，计算机领域最高奖项图灵奖（Turning Awrad）获得者的研发领军人物，开源衍生出横行多年的MIPS、PowerPC、ARM架构，成为RISC-V具有强悍技术优势的品牌背书和流量光环，并迅速在全球形成燎原之势。
