1964年，Intel公司创始人之一的戈登.摩尔提出著名的摩尔定律，预测芯片技术的未来发展趋势是，当价格不变时，芯片上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，后来50多年芯片技术的发展证明了摩尔定律基本上还是准确的。
反观国内，50-70年代末，国内半导体行业起步即与世界同步。20世纪50年代中期，中国开始发展半导体产业，并逐渐缩短与美国的差距。1956年，在周恩来总理的关怀下，通信广播系统、无线电电子学研究应用等多项技术被列为国家重要的科学技术项目，半导体技术赫然在列。由此，中国人发起了对半导体技术的全面攻坚战。被称为是中国微电子科技领域的”三大巨头“黄昆、谢希德、王守武在中国半导体历史开局上留下了浓墨重彩的印记。黄昆和谢希德一起合著了《半导体物理学》这本经典教材，填补了国内此学科的空白。而王守武更是功勋等身，研制成功了中国第一只锗合金扩散晶体管、第一台单晶炉、第一根锗单晶、第一只半导体激光器、4千位和16千位MOS随机存储器大规模集成电路；建成4千位大规模集成电路生产线。半导体材料的电阻率、少数载流子寿命以及锗晶体管频率特性的标准测试方法及相应的标准测试系统、半导体异质结激光器性质、平面Gunn器件、PNPN结构器件等半导体器件和器件物理方面的基础研究工作。
1958年，北京大学设立半导体专业，上海组建华东计算技术研究所、上海元件五厂、上海电子管厂、上海无线电十四厂等。1960年，中科院半导体所和河北半导体所正式成立，标志着我国半导体工业体系初步建成。同年，夏培肃（女）院士自行设计的107计算机研制成功，并被安装在中国科学技术大学。1964年，计算机专家吴几康成功研制出中国第一台自主设计的晶体管119计算机。1965年，中国自主研制的第一块单片集成电路在上海诞生。而此时的美国，“八叛徒”于不久前在硅谷刚刚点燃了半导体行业星星之火。中国步入集成电路时代比美国仅仅晚7年，可是比韩国早10年。1970年，哈尔滨军事工程学院（简称哈军工）研制出国内第一台具有分时操作系统和汇编语言-FORTRAN语言及标准程序库的计算机441B-III。1975年，上海无线电十四厂成功开发出当时最高水平的1024位移位存储器并于同年被生产出来。这一技术尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国要早四五年。
中国芯片光刻工艺研究，比美国稍晚，跟日本差不多同时起步，甚至比韩国、中国台湾地区都要早10年。早在1965年，中科院就研制出65型接触式光刻机。现在的光刻机巨头荷兰ASML，直到5年后的1970年，ASML的前身飞利浦研究院才进行研制，1984年才正式成立，而此时日本的一些芯片设备巨头尼康等也才刚刚进入这个领域。在随后的20年里，我国芯片领域的技术一直走在世界前沿的水平。1976年中科院109厂（现中科院微电子研究所）就研究出1000万次的大型电子计算机。1978年，美国GCA公司推出世界第一台商品化的分步式投影光刻机——DSW4800，光刻精度3纳米左右。1980年，清华大学研制出第四代分布式投影光刻机，精度高达3纳米，已经仅次于美国，接近国际主流水平。
此外在不断尝试突围DRAM（动态随机存取内存）领域，也捷报频传。1975年，北京大学物理系半导体研究小组完成硅栅NMOS（N型金属-氧化物-半导体）、硅栅PMOS（指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管）、铝栅NMOS三种技术方案，在109厂采用硅栅NMOS技术，试制出中国大陆第一块1KDRAM，比美国、日本仅仅晚五年。从1978-1985年，中国科学院半导体研究所及微电子中心先后成功研制投产4KDRAM、16KDRAM、64KDRAM。
